El diseñador y fabricante de dispositivos discretos Nexperia BV, con sede en Nijmegen, Países Bajos (y que opera fábricas de obleas en Hamburgo, Alemania, y Hazel Grove, Manchester, Reino Unido), ha anunciado que explorará una colaboración estratégica en soluciones avanzadas de semiconductores de potencia para aplicaciones automotrices con Aurobay Technologies, una división de Horse Powertrain Ltd (una empresa conjunta entre Renault Group y Geely). Esta colaboración busca combinar la experiencia de Nexperia en nitruro de galio (GaN) y carburo de silicio (SiC) con las capacidades de Aurobay en el diseño e integración de sistemas de propulsión. Partiendo de una colaboración ya existente, ambas empresas pretenden evaluar cómo una cooperación más estrecha en el desarrollo de semiconductores y la integración de sistemas de propulsión puede impulsar la próxima generación de plataformas de vehículos electrificados e híbridos.
Esta colaboración surge tras la implementación de los dispositivos GaN de Nexperia en el sistema de generación de energía altamente integrado de Aurobay para aplicaciones de extensión de autonomía. El proyecto demostró el potencial de las tecnologías de semiconductores de banda prohibida ancha para mejorar la eficiencia, reducir el tamaño y el peso del sistema, y optimizar el rendimiento general en entornos automotrices exigentes.
Partiendo de esta base, Nexperia y Aurobay evaluarán oportunidades para optimizar aún más las arquitecturas de electrónica de potencia para aplicaciones como inversores de tracción y sistemas de generación de energía. Al combinar la experiencia de Nexperia en WBG con la experiencia y las capacidades de Aurobay en sistemas de tren motriz, las empresas pretenden evaluar enfoques de ingeniería conjunta, incluyendo el codiseño en etapas tempranas y la optimización a nivel de sistema.
A medida que los fabricantes de vehículos buscan mayor eficiencia, mayor densidad de potencia y arquitecturas de tren motriz más compactas, las tecnologías de semiconductores de banda prohibida ancha se están convirtiendo en elementos clave para la electrificación. Mediante esta colaboración, Nexperia y Aurobay buscan explorar nuevos enfoques que aceleren la adopción de soluciones avanzadas de semiconductores de potencia y apoyen el desarrollo de sistemas de propulsión escalables y de alto rendimiento para la movilidad del futuro.
«Las tecnologías GaN y SiC ofrecen importantes oportunidades para mejorar la eficiencia, la densidad de potencia y el rendimiento de los sistemas en aplicaciones automotrices», afirma Edoardo Merli, director del grupo de negocio de transistores de banda ancha, IGBT y módulos de Nexperia. «Al colaborar estrechamente con Aurobay Technologies, podemos comprender mejor los requisitos a nivel de sistema y evaluar cómo las tecnologías avanzadas de semiconductores pueden ofrecer beneficios tangibles a nivel de vehículo. Esperamos seguir desarrollando nuestra exitosa colaboración y explorar nuevas oportunidades juntos», añade.
«Nuestra experiencia integrando la tecnología GaN de Nexperia en un sistema de generación de energía altamente integrado demostró el potencial de una estrecha colaboración a lo largo de toda la cadena de valor», afirma el Dr. Ma Yongquan, ingeniero jefe de Ingeniería Avanzada de Componentes Eléctricos en Aurobay. «Al combinar nuestra experiencia en sistemas de propulsión con la innovación en semiconductores de Nexperia, podemos evaluar nuevos enfoques para mejorar la eficiencia, el rendimiento y el empaquetado de los futuros sistemas de propulsión electrificados».
Fecha de publicación: 31 de agosto de 2026