La empresa japonesa Sumitomo Chemical Co Ltd ha establecido la producción en masa de obleas epitaxiales de fosfuro de indio (InP) de 4 pulgadas en su planta de Ibaraki, en Hitachi, prefectura de Ibaraki, y ha comenzado a comercializar los nuevos productos.
La empresa afirma que, como una de las pocas empresas de epitaxia en Japón capaces de producir en masa de forma estable obleas epitaxiales de InP, su objetivo es alcanzar unas ventas de unos 10.000 millones de yenes con este producto para mediados de la década de 2030.
Con la adopción generalizada de la IA generativa, junto con la expansión del IoT y los servicios en la nube, y la mejora de la infraestructura de redes de comunicación, existe una creciente demanda de procesamiento de datos más rápido y capaz de manejar grandes volúmenes de datos en una amplia gama de campos, señala Sumitomo Chemical. Para los centros de datos de IA en particular, el consumo de energía y las cargas de procesamiento de información se han convertido en importantes desafíos globales. Las tecnologías de convergencia fotónica-electrónica están atrayendo la atención como una solución clave. Entre estas tecnologías, las obleas epitaxiales de InP están experimentando un rápido aumento en su uso en centros de datos de próxima generación y redes de alta velocidad como material central para habilitar dispositivos optoelectrónicos de alto rendimiento. Se espera que la demanda de obleas epitaxiales de InP crezca significativamente en el futuro.
La fabricación de obleas epitaxiales de InP requiere tecnologías avanzadas para controlar con precisión la composición del material y las condiciones de la superficie durante el proceso de crecimiento epitaxial a alta temperatura. Además, es necesaria una gestión de procesos sofisticada a lo largo de todo el proceso de fabricación, incluyendo el manejo de los gases de la materia prima, para lograr operaciones estables y garantizar la calidad.
Sumitomo Chemical afirma que, para afrontar estos retos, ha integrado sus tecnologías patentadas de control de composición, apilamiento de películas delgadas y control de procesos de crecimiento de cristales, desarrolladas a lo largo de más de 25 años de producción en masa de obleas epitaxiales de arseniuro de galio (GaAs) y nitruro de galio (GaN). Estas tecnologías han permitido a la empresa establecer un sistema de producción en masa de obleas epitaxiales de InP que, según afirma, combina alta calidad con alta productividad.
Sumitomo Chemical está posicionando su negocio de Soluciones de TIC y Movilidad como un motor de crecimiento y se centra en los negocios relacionados con semiconductores como área prioritaria. En adelante, la empresa añadirá obleas epitaxiales de InP a su línea de materiales semiconductores compuestos, que incluye sustratos de GaN, obleas epitaxiales de GaN y obleas epitaxiales de GaAs, con el objetivo de expandir aún más su negocio en mercados en crecimiento, como las comunicaciones inalámbricas, los semiconductores de potencia y los centros de datos.
Fecha de publicación: 7 de septiembre de 2026