SAN JOSÉ – Samsung Electronics Co. lanzará servicios de empaquetado tridimensional (3D) para memoria de alto ancho de banda (HBM) este año, una tecnología que se espera se introduzca para el modelo HBM4 de sexta generación del chip de inteligencia artificial, previsto para 2025, según la empresa y fuentes de la industria.
El 20 de junio, el mayor fabricante de chips de memoria del mundo presentó su última tecnología de empaquetado de chips y sus planes de servicio en el Samsung Foundry Forum 2024, celebrado en San José, California.
Fue la primera vez que Samsung presentó públicamente la tecnología de empaquetado 3D para chips HBM. Actualmente, los chips HBM se empaquetan principalmente con la tecnología 2.5D.
Esto ocurrió aproximadamente dos semanas después de que Jensen Huang, cofundador y director ejecutivo de Nvidia, presentara la arquitectura de nueva generación de su plataforma de IA Rubin durante un discurso en Taiwán.
Es probable que la memoria HBM4 esté integrada en el nuevo modelo de GPU Rubin de Nvidia, que se espera que llegue al mercado en 2026.
CONEXIÓN VERTICAL
La última tecnología de empaquetado de Samsung incorpora chips HBM apilados verticalmente sobre una GPU para acelerar aún más el aprendizaje de datos y el procesamiento de inferencias, una tecnología considerada revolucionaria en el mercado de chips de IA, que está en rápido crecimiento.
Actualmente, los chips HBM están conectados horizontalmente a una GPU sobre un interponedor de silicio mediante la tecnología de empaquetado 2.5D.
En comparación, el empaquetado 3D no requiere un interponedor de silicio, es decir, un sustrato delgado que se coloque entre los chips para permitirles comunicarse y trabajar juntos. Samsung denomina a su nueva tecnología de empaquetado SAINT-D, abreviatura de Samsung Advanced Interconnection Technology-D.
SERVICIO LLAVE EN MANO
Se entiende que la empresa surcoreana ofrece embalajes HBM 3D llave en mano.
Para ello, su equipo de empaquetado avanzado interconectará verticalmente los chips HBM producidos en su división de negocio de memorias con las GPU ensambladas para empresas sin fábrica propia por su unidad de fundición.
«El empaquetado 3D reduce el consumo de energía y los retrasos en el procesamiento, mejorando la calidad de las señales eléctricas de los chips semiconductores», declaró un portavoz de Samsung Electronics. En 2027, Samsung planea presentar una tecnología de integración heterogénea todo en uno que incorpora elementos ópticos que aumentan drásticamente la velocidad de transmisión de datos de los semiconductores en un único paquete de aceleradores de IA.
En consonancia con la creciente demanda de chips de bajo consumo y alto rendimiento, se prevé que la memoria HBM represente el 30 % del mercado de DRAM en 2025, frente al 21 % en 2024, según TrendForce, una empresa de investigación taiwanesa.
MGI Research prevé que el mercado de envases avanzados, incluidos los envases impresos en 3D, crecerá hasta alcanzar los 80.000 millones de dólares en 2032, frente a los 34.500 millones de dólares de 2023.
Fecha de publicación: 10 de junio de 2024