-
Noticias del sector: Sumitomo Chemical inicia la producción en masa de obleas epitaxiales de InP de 4 pulgadas.
La empresa japonesa Sumitomo Chemical Co Ltd ha establecido la producción en masa de obleas epitaxiales de fosfuro de indio (InP) de 4 pulgadas en su planta de Ibaraki, en Hitachi, prefectura de Ibaraki, y ha comenzado a comercializar los nuevos productos. La empresa afirma que...Leer más -
Noticias del sector: Nexperia explora una colaboración con Aurobay en el desarrollo de semiconductores de potencia para sistemas de propulsión electrificados.
El diseñador y fabricante de dispositivos discretos Nexperia BV, con sede en Nijmegen, Países Bajos (que opera fábricas de obleas en Hamburgo, Alemania, y Hazel Grove, Manchester, Reino Unido), afirma que explorará una colaboración estratégica en sistemas de alimentación avanzados...Leer más -
Noticias del sector: NXP Malasia amplía su centro de pruebas para duplicar su capacidad en 2028.
El 12 de agosto de 2026 (hora local), NXP Semiconductors, empresa líder mundial en semiconductores para los sectores automotriz e industrial, celebró la ceremonia de colocación de la primera piedra de su nueva planta de empaquetado y pruebas en Petaling Jaya, Malasia. Esta nueva planta representa una importante ampliación de sus instalaciones de pruebas existentes...Leer más -
Noticias del sector: La escasez de suministro de condensadores cerámicos multicapa provoca un aumento drástico de los precios.
El precio de los condensadores cerámicos multicapa (MLCC), a menudo denominados en tono de broma como el "arroz" de los equipos de tecnología de la información (TI), se está disparando. Este alza de precios se debe principalmente a una prolongada escasez de suministro de MLCC provocada por el auge de la inversión en inteligencia artificial...Leer más -
Cinta de recubrimiento termosellable personalizada de 13,50 mm disponible para cinta portadora de 16 mm.
La cinta portadora estándar de 16 mm se suele combinar con una cinta de recubrimiento estándar de 13,3 mm. Sin embargo, dependiendo del espacio requerido durante las operaciones de sellado de sus componentes, algunos clientes optan por anchos de cinta de recubrimiento alternativos, ya sean más estrechos o más anchos que 13,3 mm. Recientemente...Leer más -
Diseño de cinta portadora personalizada de Sinho para la pieza CAMBION – Solución de agosto de 2026
Fecha: agosto de 2026 Tipo de solución: cinta portadora personalizada País del cliente: EE. UU. Fabricante original del componente: Diseño Tiempo de finalización: 1 hora Número de pieza: 450-3704 ZÓCALO DE MONTAJE PARA SOLDADURA, PARA DIÁMETRO DE 0,040 (1,02)...Leer más -
Diseño de cinta portadora personalizada de Sinho para pieza de TESLA – Solución de julio de 2026
Fecha: Jul, 2026 Tipo de solución: Cinta portadora personalizada País del cliente: México Fabricante original del componente: Diseño Tiempo de finalización: 2 horas Número de pieza: Tesla CUP, INS, RET, WSHR, PCBA 2049904-00-B Par...Leer más -
Noticias del sector: PVA TePla y Fraunhofer IISB establecen un laboratorio conjunto para sustratos de nitruro de aluminio.
El Instituto Fraunhofer IISB (Instituto de Sistemas Integrados y Tecnología de Dispositivos), con sede en Erlangen, y el fabricante de sistemas de plasma de microondas y radiofrecuencia PVA TePla AG, con sede en Wettenberg, están aunando sus conocimientos en un laboratorio conjunto para la producción de aluminio...Leer más -
Noticias del sector: Keysight y WIN colaboran para reducir el riesgo de diseño de componentes de RF de alta frecuencia.
Keysight Technologies Inc de Santa Rosa, CA, EE. UU. y WIN Semiconductors Corp de la ciudad de Taoyuan, Taiwán, que proporciona servicios de fundición de obleas de arseniuro de galio (GaAs) y nitruro de galio (GaN) exclusivamente para la industria inalámbrica, de infraestructura y de redes...Leer más -
Noticias del sector: La tecnología reGaN de IVWorks permite el primer HEMT de GaN de 742 GHz.
Imagen: Un ingeniero de IVWorks calibra una fuente de plasma para su implementación en un sistema MBE híbrido a escala de producción, que permite el crecimiento epitaxial de GaN de alta uniformidad y calidad. Un transistor de alta movilidad electrónica de nitruro de galio (GaN)...Leer más -
Noticias del sector: SIA aplaude los incentivos de la Ley CHIPS para Coherent
WASHINGTON, 16 de junio de 2026—La Asociación de la Industria de Semiconductores (SIA) publicó hoy la siguiente declaración del presidente y director ejecutivo de la SIA, John Neuffer, en la que aplaude los incentivos a la fabricación anunciados por el Departamento de Comercio y Cohe...Leer más -
Noticias del sector: El transistor orgánico combina memoria, procesamiento de señales y emisión de luz por debajo de 3,5 V.
Durante el funcionamiento del transistor, se forma un canal de huecos, mientras que una doble capa eléctrica inducida por cationes. Investigadores de la Universidad Nacional de Seúl han desarrollado un transistor orgánico emisor de luz electroquímico de voltaje ultrabajo que puede...Leer más
